最新消息:【组图】怎样用U盘装系统步骤详细教程(XP/Win7 适合新手),教程地址:https://www.chongzhuangxitong.com/upan

高通888表现不佳的原因探索之5nm工艺的那些事

电脑常识 admin 242浏览 0评论

关注原作者:https://www.bilibili.com/read/cv9315996/  欧阳秋叶

之前我对首发高通888的小米11做了整套测试。包括各种日常和不同负载的场景,瞬时表现和长期表现等,逻辑相对完备。从定量来看,当时我们也说了数据不够稳定,可能不准。不过多样本多方法佐证,定性没有问题,确实是性能功耗比不理想。

那么到底是为什么呢?测试中我们发现调度容易过激,超大核耗电和GPU超频导致了功耗上升。这些可能一定程度优化。另外还有一个方向就是三星5nm芯片的制程工艺。5nm芯片多多少少都有些能效比不理想。本期我们聊聊芯片和芯片制程的一些知识。

台积电三星intel等家都说几纳米,具体是什么意思?有什么副作用?芯片发展的未来是什么?这个文章让你明白。声明:本文图片来自网络,仅为科普分享,不商用且不主张版权,任何人可以借用或补充纠正。

网友观点:工艺制程越小越好

科学观点:不准确,且存在极限。
晶体管是芯片的组成单位,最常见的是CMOS管。我曾经透露过高通888在早期射频测试的时候就烧坏过CMOS管,所以对发热功耗有一定担忧。当然如果优化得当就可以避免。只是性能和功能无法兼得就需要取舍。

一、5nm,7nm,10nm指的是什么?

CMOS管是实现二进制0或1的单位。有3个部分,源极,漏极,栅极。跟初中灯泡电路类似。电流从源极到漏极,栅极是开关,通过高低两个电压的信号来实现控制,亮灭分别是0和1。计算机所有的运算都是转化成无数个0和1,进行运算和储存。能输入0和1,就可以进行逻辑运算了。
制成说的几纳米,本来是栅极的最小线宽,也就是阀门最小宽度。这个数字越小,电流通过的损耗就越小,功耗往往越小。所以工艺制程越小,晶体管越多,性能越高,单位功耗越低。
二、通过几nm的工艺制程数字,可以得出强弱排名吗?

在探索更强工艺的同时,其他因素也成为了变量。比如鳍片间距等参数。所以降低栅极宽度并不是工艺提升的唯一路线。只对比工艺制程的数字无法得出优劣的唯一答案。
比如intel的10nm工艺,每平方毫米有1.008亿个晶体管。而三星的10nm才5510万个,7nm才1.0123亿个。所以intel的10nm跟三星7nm单位性能表现是差不多的。类似的还有台积电的7nm+,如果横向对比,intel的10nm比台积电的三星的10nm都好。除了栅极的最小线宽一样,其他关键指标都是intel更好。最小栅极间距,最小金属间距优势明显。所以,只有其他参数差不多,对比工艺制程才能得出强弱排列。

若前提不存在,则结论不唯一。

 

英特尔鳍片形状和格芯的鳍片形状

另外现在说的5nm已经不是栅极的最小线宽,由于finfet,GAA工艺的进步不止体现在线宽上,还有单位面积性能,发热功耗,良率等等的差别。厂家只说栅极的最小线宽无法展示自己的强大。intel打磨14nm+++还被网友嘲笑。所以现在说的工艺制程,实际上是换算出来的。5nm的含义,其实是性能相当于5nmCMOS管的性能。但实际栅极的最小线宽要大于5nm。具体多少还不告诉你。厂家是玩数字游戏,方便营销。

三、芯片制程的极限在哪里

 

栅极的最小线宽太小会发生量子隧穿。因为绝缘层太薄,电子会从绝缘层漏出,导致发热,功耗上升等问题。所以能效比就会下降。这时候你可能会发现,高通888恰好是这样。台积电的5nm和三星5nm会有一定区别,但趋势是一样的。我之前对比了高通888和865,最近又对比了麒麟9000和990。

 

工艺原本的极限是20nm,finfet改用立体结构,让栅极包裹导电沟槽,在宽度不变的前提下增加接触面积,增加栅极作为开关的把控能力。这也归功于华人胡正明教授的团队。这时候极限到了5nm。也就是高通888,麒麟9000和苹果a14的节点。再往下需要GAA环绕式栅极技术,比如台积电和三星的3nm。所以5nm可能是FinFET的最后一代,到了极限已经非常勉强。当然我们现在见到的5nm还不是真的5nm,可以认为是7nm改良。只是换算的5nm也已经困难重重。
而最终的极限就是硅基芯片的极限。单晶硅的硅原子间距大概是三分之根号3,约0.6nm。12nm工艺大概能放20个硅原子。由于硅原子排列不可能绝对理想,可能会丢失原子,良率就会下降。以20个硅原子为例,丢一个降低5%的性能,多丢一个就是10%。当来到6nm,丢一个原子影响会更大。所以良率会越来越低,一定会迎来极限。目前晶体管的设计还在发展,还无法准确预测硅基芯片的准确极限。未来可能转为碳基芯片,或者其他我们现在还不知道的模式。

 

总结:

工艺制程不是越小越好,有前提有极限。

只看工艺制程无法绝对决定好坏。不同品牌要看其他条件。

intel的14nm+++其实也能写成13nm,12nm,11nm等。台积电三星的7nm,5nm也能写成7nm++。同样数字代表的意义不一样,不能直接横向对比。

现在的5nm不是真的5nm,性能功耗和良率已经面临挑战。这比优化调度还要难。调教的方向在于找性能功耗的平衡点。

未来会进入GAA时代,甚至碳基芯片时代。

 

 

 

 

 

转载请注明:重装系统网 » 高通888表现不佳的原因探索之5nm工艺的那些事



发表我的评论
取消评论

表情

Hi,您需要填写昵称和邮箱!

  • 昵称 (必填)
  • 邮箱 (必填)
  • 网址